專利申請方式及流程臺灣專利查詢要怎么辦

申請專利的流程總共兩種方式：第一種：自行辦理專利申請事宜，主要過程如下： 1、打開電子申請網（cponline.sipo.gov.cn），點擊“注冊”注冊電子申請用戶，然后點擊“工具下載”，在跳...

專利申請方式及流程
我們精選了一下網友答案：

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申請專利的流程總共兩種方式：

第一種：自行辦理專利申請事宜，主要過程如下：

1、打開電子申請網（cponline.sipo.gov.cn），點擊“注冊”注冊電子申請用戶，然后點擊“工具下載”，在跳轉的界面找到“CPC安裝程序”“CPC客戶端離線升級包”并下載電子申請客戶端（下稱CPC）和離線升級包，下載結束后先安裝CPC，后升級CPC到最新版本。

2、利用電子申請網的賬戶信息登錄該網站，點擊“其他”找到“證書管理”，選中證書后點擊“下載證書”獲得電子證書，將電子證書保存到電腦。

3、登錄專利事務服務系統（cpservice.sipo.gov.cn），在“業務辦理”中找到“費減備案請求”，然后點擊“在線辦理”，在彈出的窗口中填寫相關信息并按照提示完成辦理。

4、打開CPC，點擊“申請專利”，選擇類型，在草稿箱的新申請中選中新建的模板，然后雙擊進入編輯截面，依次將“請求書”“權利要求書”“說明書”“說明書附圖”“摘要”“摘要附圖”填寫好并保存。其它無關文件一律刪除。然后退出編輯截面，并選中已編輯好的申請文件，點擊“簽名”，簽名成功后在左側“發件箱”中選中已簽名的申請文件，然后點擊“發送”。

5、次日再次打開CPC，點擊“接收”，選擇證書，然后點擊“獲取列表”，然后選中出現的受理通知書，點擊“開始下載”，最后在左側“收集箱”中找到下載的受理通知書，雙擊點開記錄申請號及繳費信息。

6、登錄電子申請網（cponline.sipo.gov.cn），在“費用辦理”中找到“在線支付”，點擊后彈出新窗口，然后點擊“以國家申請號繳費”，在彈出的繳費截面填寫繳費信息，然后提交至繳費界面完成繳費。

注意事項：

①步驟3中的專利事務服務系統的登錄賬號與電子申請網的賬戶相同。

②如果不知道步驟2中電子證書保存到哪里，可在電子申請網首頁點擊 “使用指導”，然后按要求操作。

③CPC安裝時要求運行系統為XP及win7專業版，word為03或07版本，此外任何版本均可能造成CPC無法正常使用。

④步驟3中辦理費減備案的條件為：請求人為個人時，月收入不超過5000；請求人為企業時，上一年全年的企業所得稅應納稅所得額不超過100萬。不滿足以上條件將無法辦理費減備案。

⑤專利申請文件的撰寫是一件相當專業的事情，一般人很難寫好申請文件，如果技術本身具有較好的應用價值并希望通過專利予以保護，則建議采取委托代理機構的方式完成。

第二種：委托代理機構代為辦理專利申請，具體過程參照代理機構的內部流程。

綜上所述，第一種方法費用低但費時費力，鑒于CPC的不穩定性可能導致申請人無法提交專利申請。第二種方法費用高但省時省力，申請人僅需提供相關材料并支付相關費用即可，無需投入太多時間。申請人可根據自身情況選擇合適的申請方式。

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臺灣專利查詢要怎么辦
我們精選了一下網友答案：

專利具有地域性。所以不管是哪的專利想要在國內使用就必須要再國內進行申請。因此想要查詢這個專利，只要直接到國家知識產權局官網上輸入專利相關的信息就可以進行查詢。

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申請專利的最佳步驟：申請專利是一種法律程序，申請專利的發明人要想快而穩妥地獲得專利權，取得法律上的保護，可委托專利事務所的專利代理人為你提供法律和技術上的幫助，發明人一旦與專利代理人建立委找代理關系，專利代理人則是你的技術顧問和專利律師。發明人與專利代理人建立代理委托關系后，應按照代理人的要求提供撰寫專利文件所必須的詳細技術資料；詳細技術資料包括發明創造的目的、新舊技術對比、主要技術特征及實施發明創造目的的具體方案，以及能說明發明創造目的的圖紙等。如發明人不會制圖或不能提供必須的詳細技術資料，可直接向專利代理人口述，專利代理人可根據發明人的發明意圖為你完成專利申請的全過程，直到獲得專利權。委托專利代理機構申請專利的程序委托專利代理機構申請專利一般要經過以下幾個步驟一、咨詢： 1、確定發明創造的內容是否屬于可以申請專利的內容； 2、確定發明創造的內容可以申請哪一種專利類型（發明、實用新型、外觀設計）二、簽定代理委托協議此時簽定代理協議的目的是為了明確申請人和專利代理機構之間的權利和義務，主要是約束專利代理人對申請人的發明創造內容負有保密的義務。三、技術交底 1、申請人向專利代理人提供有關發明創造的背景資料或委托檢索有關內容； 2、申請人詳細介紹發明創造的內容，幫助專利代理人充分理解發明創造的內容。四、確定申請方案代理人在對發明創造的理解基礎上，會對專利申請的前景做出初步的判斷，對專利授權可能性很小的申請將建議申請人撤回，此時代理機構將會收取少量咨詢費，大部分申請代理費用將返還申請人。若專利授權前景較大，專利代理人將提出明確的申請方案、保護的范圍和內容，在征得申請人同意的條件下開始準備正式的申請工作。五、準備申請文件（中國專利展示網有下載 www.zlshow.com） 1、撰寫專利申請文件； 2、制作申請書文件； 3、提交專利申請并獲取專利申請號。六、審查中國專利局會對專利申請文件進行審查，在審查過程中專利代理人會進行專利補正、意見陳述、答辯、變更等工作。如有需要，申請人應該配合專利代理人完成以上工作

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可以到歐洲專利資料庫中查詢，只要在公開號的地方前加入TW就可以查到。這個資料庫也可以查日本、美國、中國、臺灣等一百多國專利。只要在公開號前加入該國的簡碼，例如:中國CN 臺灣TW 美國US 日本JP 歐洲專利資料庫也可以到這里找到官方連結

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【解密】英飛凌積極布局SiC市場；華為申請一項防塵防水新專利:性能或高于IP68；索尼專利暗示PS5或將具有語音AI助手功能
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1.【專利解密】英飛凌積極布局SiC市場；

2.華為申請一項防塵防水新專利：性能或高于IP68；

3.索尼專利暗示PS5或將具有語音AI助手功能；

1.【專利解密】英飛凌積極布局SiC市場；

【嘉德點評】英飛凌的此項專利可以有效的改善碳化硅器件的短路耐用性，碳化硅(SiC)器件的穩定性和可靠性都被市場一一驗證，所以在對可靠性要求更高的領域，SiC產品可以有較快的增長。

集微網消息，近年來碳化硅（SiC）市場的競爭已經如火如荼，而且業內對第三代半導體的投資可謂是熱度高漲。作為全球領先的半導體企業，英飛凌也在不斷地加大對SiC領域的投資。

碳化硅（SiC）的寬帶隙以及低本征載流子濃度和高臨界電場適用于制造具有大阻斷電壓和小導通電阻的功率半導體器件。

功率半導體器件通常被用于控制從輸入級到輸出級的電能轉移，例如在DC/AC轉換器、AC/AC轉換器或AC/DC轉換器中。在典型的轉換器拓撲結構中，負載側的短路條件在功率半導體器件的短路條件下變換。短路檢測電路可以檢測短路狀況，并且可以關斷功率半導體器件和/或可以激活斷路器。對于在短路狀態的開始與結束之間的時間段，高的短路電流就會流過功率半導體器件，這樣就需要改善碳化硅器件的短路耐用性。

為此，英飛凌申請了一項名為“碳化硅半導體器件”的發明專利（申請號：201910541533 .3），申請人為英飛凌科技股份有限公司。

圖1 SiC器件的電路圖

上圖1是該專利提出的一種SiC器件的電路圖，源極端子S、漏極端子D和柵極端子G共同構成了三端子SiC器件500，同時SiC器件500還包括該SiC器件包括串聯地電連接的JFET 810和IGFET 820。

圖2 SiC器件垂直橫截面圖

圖2示出了SiC器件的垂直橫截面示意圖，由圖可知，SiC器件500包括第一負載電極310和碳化硅本體100，其中柵極結構150從碳化硅本體100的第一表面101延伸到碳化硅本體100中。然后形成在碳化硅本體100中的半導體區120、160、170電連接到第一負載電極310，而且半導體區120、160、170和源極區110可以直接形成相應的pn結。

另外，第一負載電極310可以形成源極端子S，或者直接電連接到源極端子S。同樣，第二負載電極320也可以形成漏極端子D或者電連接到漏極端子D。而層間電介質210的出現，能夠使第一負載電極310和柵電極155彼此分離。

源極區110主要包括與第一負載電極310直接接觸的重摻雜接觸部分111以及溝道部分112，其中溝道部分112中的最大摻雜劑濃度為接觸部分111中的最大摻雜劑濃度的10％左右，并且溝道部分112的第一端可以利用接觸部分111形成單極結。另外，溝道部分112的第二端還可以與柵極結構150接觸。

輔助結構200主要是指與源極區110形成輔助pn結pnx的輔助區170。輔助區170是可以浮動的，并且它可以通過離子注入形成。從上圖可知，輔助區170直接電連接到第一負載電極310，使得耗盡區域119從相對側蔓延到源極區110中。

通過在相對側上提供耗盡區域119，可以增加控制比，該控制比描述了源極區電阻的變化與負載電流變化之間的比率，可以增加溝道部分112中的摻雜劑濃度，進而得以降低SOA內的負載條件的源極區110的電阻。另外，溝道部分112、主體區120和輔助區170還可以在晶體管單元TC的源極區110內形成橫向JFET。

英飛凌的此項專利可以有效的改善碳化硅器件的短路耐用性，碳化硅(SiC)器件的穩定性和可靠性都被市場一一驗證，所以在對可靠性要求更高的領域，SiC產品可以有較快的增長。

SiC是英飛凌規劃領域中的核心產品之一，英飛凌也不斷地在SiC技術領域中擴充自己的團隊，希望英飛凌可以生產出高質量的SiC產品，并繼續為業內提供高質量的產品與服務！

2.華為申請一項防塵防水新專利：性能或高于IP68；

近日，華為在終端設備的防塵、防水和透氣等性能上有了進一步突破。一項申請日期為5月1號，公開號為CN111092973A，主要用于終端設備上的防塵防水透氣專利被媒體曝光。該專利完整介紹如下：

本申請涉及電子產品技術領域，尤其涉及一種移動終端，該移動終端包括殼體，殼體形成有第一開孔，殼體內與第一開孔對應設置有防水透氣膜組件，防水透氣膜組件朝向殼體一側設置有防塵網，和用于將防塵網與殼體粘接的第一層膠層。

第一膠層與第一開孔對應的位置處形成有第二開孔，以使殼體的內部依次通過防水透氣膜組件、防塵網、第二開孔和第一開孔與外界連通。

本申請提供的移動終端中，通過設置防塵網，當外界的空氣進入移動終端內時，外界的灰塵顆粒等臟物本防塵網隔離，有效防止臟物附著在防水透氣膜組件上，導致防水透氣膜組件透氣失效，保證了防水透氣膜組件使用的穩定性，也保證了移動終端能夠穩定地與外界氣壓保持連通。

目前，華為已經擁有了世界最高防水級別IP68，此次申請的這項新專利將有可能讓華為的終端設備的防水防塵功能更強大、更加多樣化。快科技

3.索尼專利暗示PS5或將具有語音AI助手功能；

索尼預計今年圣誕節檔期發售次世代主機PS5，不過目前他們只公布了PS5的大概信息，許多關鍵細節都始終缺失。雖然索尼方面守口如瓶，但我們可以通過公開的專利內容猜測PS5有可能發展的方向。根據最新公開的專利文檔，索尼似乎是開發了一個語音AI助手，功能上差不多可以類比蘋果的Siri，微軟的Cortana，或者亞馬遜的Alexa。

專利對索尼的語音AI助手進行了最基本的功能描述：聽取用戶的詢問，提供回應，要求更具體的詢問等。這個AI助手可以根據特定日程安排和事件進行回應，也就是具有鬧鐘和提醒功能。另外專利也顯示這個AI助手會連接到云端，獲取更準確的回應。

比較特別的地方在于，索尼的這個AI助手是有虛擬形象的，還具備面部表情動畫模組。專利文檔的圖片里畫了兩個小人，一個是用戶，另一個就是虛擬形象，可能在用戶呼叫AI助手的時候屏幕上會出現這個虛擬形象的臉，就像隨叫隨到的助手那樣當面解決問題。

此前公布的專利中，PS5的手柄DualSense將搭載多個麥克風，反相波主動降噪功能，允許玩家在不戴耳機的情況下進行更好的語音聊天。現在看來，麥克風降噪搭配AI語音助手也非常合理。

另外還有一個專利叫“PlayStation Assistant”，基本功能雖然還是AI語音助手，但卻是專門為游戲設計的，玩家可以向PlayStation Assistant提問游戲內的問題，程序會給出方向指引。這個專利應該是之前提到的AI助手的延伸。

需要指出的是，專利信息并不一定會反應到最終產品上，索尼方面還沒有公布PS5的具體特色功能，我們還需要等待索尼方面的官方消息發布。cnBeta

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