鐵電隨機存取存儲器(FRAM或FeRAM)是一種專門用于計算機應用的固態數據存儲介質。它與大多數個人計算機中使用的普通RAM不同,它是非易失性的,即當設備斷電時,它會保留存儲在其中的數據,標準動態隨機存取存儲器(DRAM)并非如此。...
鐵電隨機存取存儲器(FRAM或FeRAM)是一種專門用于計算機應用的固態數據存儲介質。它與大多數個人計算機中使用的普通RAM不同,它是非易失性的,即當設備斷電時,它會保留存儲在其中的數據,標準動態隨機存取存儲器(DRAM)并非如此。制造FRAM的材料的獨特特性使其具有自然的鐵電狀態,這意味著它有一個內置的極化,可以在不需要電力的情況下半永久地存儲數據。這種自然極化意味著FRAM的功耗很低水平超過標準數據存儲器。手持計算機的人在FRAM芯片上的數據也可以通過施加電場寫入新的信息來改變,這使得它與許多類型的計算機化工業機器中的閃存和可編程存儲器芯片有一些相似之處,即電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM),其主要缺點是數據存儲密度遠低于其他類型的RAM,而且更難生產,因為鐵電層在硅芯片制造過程中很容易退化。由于鐵電RAM不能保存大量數據,而且對于需要大量內存的應用來說成本很高,因此它最常用于便攜式計算機設備中,如連接到安全系統進入建筑物的智能卡和射頻識別(RFID)標簽,用于消費品上跟蹤庫存。截至2011年,制造鐵電RAM最常用的材料是鋯鈦酸鉛(PZT),不過,這項技術的歷史可以追溯到1952年的概念和上世紀80年代末的首次生產FRAM芯片架構是建立在一個模型上,一個存儲電容器和一個信號晶體管組成一個可編程金屬化單元。鐵電RAM中的PZT材料使其能夠在不使用電源的情況下保留數據。而該架構基于與DRAM相同的模型,并且兩者都存儲數據是由1和0組成的二進制串,只有鐵電RAM具有相變存儲器,其中的數據被永久地嵌入,直到外加電場將其擦除或覆蓋。從這個意義上講,鐵電RAM的功能與flash存儲器或EEPROM芯片相同,只是讀寫速度快得多,并且可以重復由于鐵電RAM的讀寫存取速率比標準的EEPROM芯片快3萬倍,再加上它的續航時間要長10萬倍,功耗只有EEPROM的1/200,所以它是賽道存儲器。賽道存儲器是美國正在設計的一種非易失性通用固態存儲器,可能最終取代標準的計算機硬盤和便攜式閃存設備。一旦商業化,鐵軌的讀寫速度比標準的讀寫速度快100倍
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發表于 2020-08-07 13:41
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- 分類:電腦網絡