什么是互補金屬氧化物半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor)？

互補金屬氧化物半導體（CMOS）是集成電路中使用的基本邏輯控制器。互補金屬氧化物半導體設計技術傳統上存在于計算機、計算機存儲器和移動印刷電路板技術中的微處理器中，例如移動電話和手持計算設備。CMOS設備的關鍵賣點是...

互補金屬氧化物半導體（CMOS）是集成電路中使用的基本邏輯控制器。互補金屬氧化物半導體設計技術傳統上存在于計算機、計算機存儲器和移動印刷電路板技術中的微處理器中，例如移動電話和手持計算設備。CMOS設備的關鍵賣點是它的功耗率非常低，與其他可用的邏輯技術（晶體管-晶體管邏輯（TTL）相比。

芯片。
CMOS利用兩種不同的金屬組合來建立進入互補金屬氧化物半導體的邏輯網關，因此，這兩種金屬之間的電阻非常高，因此，通過遵循電壓等于電流乘以電阻的歐姆s定律，電阻越高，維持給定電壓所需的電流越小。
CMOS的另一個重要設計特點是它的和/或邏輯控制器。這個控制器所允許的是，該單元只在動態階段運行。在現實世界中，這意味著，邏輯控制器類似于一個水龍頭，只有在用戶需要時才允許水流動，而不一定非得讓水流動才能工作。
CMOS控制器將消耗邏輯控制器一半的功率，而邏輯控制器需要在動態和靜態位置都能工作的功率有效地利用電源來執行各種邏輯功能，使得這種邏輯控制器非常適合電源非常有限的應用。例如，一部手機需要一次運行幾個小時甚至幾天，而不需要重新插上電源來給電池充電
Fairchild semiconductor的工程師Frank Wanless于1967年獲得了第一個互補金屬氧化物半導體的專利。RCA公司于1968年首次成功地將CMOS商業化使用。最初，使用CMOS邏輯單元的最大缺點是邏輯功能的執行速度。TTL控制器雖然相似，但能夠以更快的速度執行功能，即使消耗更多的功率。其固有的低功耗設計特點，工程師們很快就能將CMOS的性能提高到比傳統TTL控制器快得多的水平。
互補金屬氧化物半導體最初是由鋁構成的。半導體工業的改進引入了新的金屬，如鉭和多晶硅，然而，這些金屬和其他化合物產生的熱量比傳統的鋁部件要少得多，也不容易發生故障。一種元素產生的熱量越少，它就越能有效地利用各種功能所需的能量，使用的電池電量也就越少。