什么是鐵電存儲器(Ferroelectric Memory)？
鐵電隨機存取存儲器（FRAM）使用一種特殊的"鐵電薄膜"來存儲計算機數據，這種薄膜具有快速改變極性的能力，即使在不通電的情況下也能保留數據，因此它被歸類為非易失性存儲器。鐵電存儲器在沒有電池的情況下工作，當信息被寫入或...
鐵電隨機存取存儲器（FRAM）使用一種特殊的"鐵電薄膜"來存儲計算機數據，這種薄膜具有快速改變極性的能力，即使在不通電的情況下也能保留數據，因此它被歸類為非易失性存儲器。鐵電存儲器在沒有電池的情況下工作，當信息被寫入或重寫到芯片上時消耗很少的能量。隨機存取存儲器的性能與鐵電存儲器中的只讀存儲器的能力相結合。它用于智能卡和移動設備，如作為手機，因為使用的功率很小，而且存儲芯片很難被人篡改。
手持光盤的女性
鐵電存儲芯片通過使用鋯酸鉛鈦酸鹽薄膜來改變周圍的電場。薄膜中的原子將極性改變為正或負，反之亦然。這使得薄膜像開關一樣工作，與二進制代碼兼容，并能有效地存儲數據。斷電時，薄膜的極性保持不變，保持信息的完整性允許芯片在沒有太多能量的情況下工作。鐵電存儲器芯片甚至可以在斷電時保持數據。
與動態隨機存取存儲器（DRAM）和電可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM）相比，鐵電存儲器的功耗是原來的3000倍，而且由于信息可以多次寫入、擦除和重寫，它的壽命估計也會延長10000倍，但是，鐵電層被用來代替它用于FRAM，不同存儲芯片的結構在其他方面非常相似。
也稱為FeRAM，鐵電存儲器可以比其他存儲器寫得快得多據估計，這種寫入速度比EEPROM器件快近500倍。科學家們用電子顯微鏡在存儲芯片表面拍攝電場圖像。利用這項技術，他們可以測量使偏振度在原子尺度上得到控制的材料，從而制造出存儲芯片鐵電存儲器比其他類型的計算機存儲器更節能。使用和存儲數據也更安全，因為重要信息不會輕易丟失。它適用于手機和射頻識別（RFID）系統。存儲芯片還可以重寫許多數據更多的時間，所以記憶不會磨損，需要在短時間內更換。
手持光盤的女性鐵電存儲芯片通過使用鋯酸鉛鈦酸鹽薄膜來改變周圍的電場。薄膜中的原子將極性改變為正或負，反之亦然。這使得薄膜像開關一樣工作，與二進制代碼兼容，并能有效地存儲數據。斷電時，薄膜的極性保持不變，保持信息的完整性允許芯片在沒有太多能量的情況下工作。鐵電存儲器芯片甚至可以在斷電時保持數據。
與動態隨機存取存儲器（DRAM）和電可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM）相比，鐵電存儲器的功耗是原來的3000倍，而且由于信息可以多次寫入、擦除和重寫，它的壽命估計也會延長10000倍，但是，鐵電層被用來代替它用于FRAM，不同存儲芯片的結構在其他方面非常相似。
也稱為FeRAM，鐵電存儲器可以比其他存儲器寫得快得多據估計，這種寫入速度比EEPROM器件快近500倍。科學家們用電子顯微鏡在存儲芯片表面拍攝電場圖像。利用這項技術，他們可以測量使偏振度在原子尺度上得到控制的材料，從而制造出存儲芯片鐵電存儲器比其他類型的計算機存儲器更節能。使用和存儲數據也更安全，因為重要信息不會輕易丟失。它適用于手機和射頻識別（RFID）系統。存儲芯片還可以重寫許多數據更多的時間，所以記憶不會磨損，需要在短時間內更換。
- 發表于 2020-07-10 12:34
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- 分類：技術
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