鍺晶體管是建立在硅元素上的標準晶體管的一種變體,硅-硅-鍺合金通常用于提高電信號的傳輸速度。單個電子元件的速度加起來就是一個集合,因此,鍺晶體管陣列可以顯著提高電路的處理速度。鍺晶體管早于標準的硅設計,在20世紀...
鍺晶體管是建立在硅元素上的標準晶體管的一種變體,硅-硅-鍺合金通常用于提高電信號的傳輸速度。單個電子元件的速度加起來就是一個集合,因此,鍺晶體管陣列可以顯著提高電路的處理速度。鍺晶體管早于標準的硅設計,在20世紀50年代和60年代就被廣泛使用。它們的吞吐速度或較低的截止電壓優于硅,但今天,它們只具有特殊的應用

鍺晶體管與硅元素一起構建,以提高電信號的傳輸速度半導體鍺硅晶體管也與銦、鎵或鋁合金,并已被用作替代純硅晶體管陣列的另一種替代品,即基于砷化鎵的晶體管陣列。在太陽能電池應用中,鍺和砷化鎵由于具有相似的晶格圖案而被一起使用,光學應用是目前使用鍺晶體管的常見場所,部分原因是純鍺金屬對紅外輻射是透明的鍺合金在硅上的高速電路中提供了更高的傳輸速率,但它們并非沒有缺點鍺晶體管的大多數性能都低于標準硅晶體管,包括它們提供的最大功率分布,在6瓦左右,而硅的功率在50瓦以上,電流增益和工作頻率都較低。鍺晶體管的溫度穩定性也不如硅溫度升高,它們允許更多的電流通過,最終導致它們燒壞,鍺晶體管的一個最大的缺點是,由于鍺有產生螺旋位錯的傾向,它會顯示出電流泄漏,這些都是由晶須這種晶體結構,被稱為晶須,隨著時間的推移,會使電路短路。10微安培以上的電流泄漏可以作為一種確定晶體管是建立在鍺基上而不是硅基上的方法。與硅相比,鍺是一種稀有而昂貴的金屬,雖然硅很容易以石英的形式獲得,但半導體級硅(SGS)的精煉工藝仍然是一個高技術的過程,盡管如此,它并沒有像鍺那樣對人體健康造成危害,而鍺和鍺氧化物在精煉過程中產生鍺對人體有神經毒性作用。雖然鍺主要用作太陽能電池和光學應用中的晶體管,但鍺二極管由于其較低的截止電壓約為0.3,所以也用作電子元件與硅二極管的0.7伏相比鍺半導體元件的這一獨特優勢使其成為未來高速元件(如硅鍺碳晶體管)的目標。此類晶體管提供最低的噪聲傳輸水平,最適合用于振蕩器、無線信號傳輸、無線電頻率應用,這反映了幾十年前鍺元件的原始用途之一是在無線電設計中