什么是晶體管漏極(Transistor Drain)？
晶體管漏極是場效應晶體管的一部分，通常稱為場效應晶體管，相當于標準半導體晶體管上的發射極。場效應晶體管有四個基本元件和相應的端子，稱為柵極、源極、體極和漏極。當場效應晶體管的柵極和體極上存在控制電壓時，在源極...
晶體管漏極是場效應晶體管的一部分，通常稱為場效應晶體管，相當于標準半導體晶體管上的發射極。場效應晶體管有四個基本元件和相應的端子，稱為柵極、源極、體極和漏極。當場效應晶體管的柵極和體極上存在控制電壓時，在源極處等待的任何電信號都將從源極傳輸到晶體管漏極，并從漏極的端子輸出，晶體管漏極可指場效應晶體管的輸出部件或將該部件連接到其他電路的端子。
當場效應晶體管執行類似功能時對于標準的結型晶體管來說，它們執行這些功能的方式是完全不同的。一個普通的晶體管是由三塊帶交變靜電荷的材料組成的，它們要么是正負正電荷，稱為PNP，要么是負正負電荷，稱為NPN。這些材料稱為集電極、發射極和基極，它們熔合在一起，基本上形成一個二極管，有兩個陽極或兩個陰極。
如果電信號在晶體管的集電極處等待，而基極處沒有電壓，晶體管被認為是關閉的，不傳導電信號。如果電壓進入晶體管的基極，它就會改變基極的電荷。這種電荷的變化將晶體管打開，集電極信號通過晶體管從發射極傳導出去，供其他電子電路使用。
場效應晶體管的工作原理完全不同。場效應晶體管由四塊材料組成，每一塊材料都有一個終端，稱為源、柵、漏和體在這四個器件中，只有源極、漏極和體極帶靜電。要么源極和漏極帶負電荷，稱為n溝道場效應管，要么源極和漏極帶正電荷，稱為p溝道場效應管。在這兩種情況下，場效應管體極帶電荷，與源極和漏極相反。
然后將這四個器件組裝在一起一種與標準晶體管不同的順序。源極和漏極將熔合在晶體管的兩端。然后柵極熔合在源極和漏極上，橋接它們，但不與晶體管的主體直接接觸。相反，柵極被設置為與主體平行并與主體保持一定距離。
如果場效應晶體管是一個n通道類型的器件，則源極和漏極之間沒有電壓或負電壓連接將場效應晶體管切換到關斷狀態，并且不會在源極和漏極之間傳導信號。當場效應晶體管主體充電時，在場效應晶體管的柵極上施加一個正電壓將把它切換到導通狀態。柵極的電荷將開始從場效應晶體管的主體中拉出電子，基本上形成一個稱為導電溝道的場。
如果柵極上的電壓足夠強，則一個點稱為其閾值電壓，導電溝道可以完全形成。一旦導電溝道完全形成，場效應晶體管源極處的電壓將能夠通過導電溝道將其信號傳導到晶體管漏極，并從晶體管漏極流出。如果柵極處的電壓隨后降低到其閾值以下，穿過柵極和場效應晶體管體的場將立即形成崩塌，將導電溝道與之一起，并將場效應晶體管返回到關閉狀態。
場效應晶體管對其柵極閾值電壓非常敏感。使用僅略高于要求的柵極電壓，然后稍微降低它，將非常快地打開和關閉場效應晶體管因此，在非常高的頻率下只稍微改變柵極電壓，就可以比標準晶體管更快的速度和更小的電壓關閉和打開場效應晶體管。場效應晶體管的開關速度使其成為高速數字電路的理想晶體管。它們在諸如數字集成電路和微處理器，它們是現代計算機CPU的首選晶體管。
當場效應晶體管執行類似功能時對于標準的結型晶體管來說，它們執行這些功能的方式是完全不同的。一個普通的晶體管是由三塊帶交變靜電荷的材料組成的，它們要么是正負正電荷，稱為PNP，要么是負正負電荷，稱為NPN。這些材料稱為集電極、發射極和基極，它們熔合在一起，基本上形成一個二極管，有兩個陽極或兩個陰極。如果電信號在晶體管的集電極處等待，而基極處沒有電壓，晶體管被認為是關閉的，不傳導電信號。如果電壓進入晶體管的基極，它就會改變基極的電荷。這種電荷的變化將晶體管打開，集電極信號通過晶體管從發射極傳導出去，供其他電子電路使用。
場效應晶體管的工作原理完全不同。場效應晶體管由四塊材料組成，每一塊材料都有一個終端，稱為源、柵、漏和體在這四個器件中，只有源極、漏極和體極帶靜電。要么源極和漏極帶負電荷，稱為n溝道場效應管，要么源極和漏極帶正電荷，稱為p溝道場效應管。在這兩種情況下，場效應管體極帶電荷，與源極和漏極相反。
然后將這四個器件組裝在一起一種與標準晶體管不同的順序。源極和漏極將熔合在晶體管的兩端。然后柵極熔合在源極和漏極上，橋接它們，但不與晶體管的主體直接接觸。相反，柵極被設置為與主體平行并與主體保持一定距離。
如果場效應晶體管是一個n通道類型的器件，則源極和漏極之間沒有電壓或負電壓連接將場效應晶體管切換到關斷狀態，并且不會在源極和漏極之間傳導信號。當場效應晶體管主體充電時，在場效應晶體管的柵極上施加一個正電壓將把它切換到導通狀態。柵極的電荷將開始從場效應晶體管的主體中拉出電子，基本上形成一個稱為導電溝道的場。
如果柵極上的電壓足夠強，則一個點稱為其閾值電壓，導電溝道可以完全形成。一旦導電溝道完全形成，場效應晶體管源極處的電壓將能夠通過導電溝道將其信號傳導到晶體管漏極，并從晶體管漏極流出。如果柵極處的電壓隨后降低到其閾值以下，穿過柵極和場效應晶體管體的場將立即形成崩塌，將導電溝道與之一起，并將場效應晶體管返回到關閉狀態。
場效應晶體管對其柵極閾值電壓非常敏感。使用僅略高于要求的柵極電壓，然后稍微降低它，將非常快地打開和關閉場效應晶體管因此，在非常高的頻率下只稍微改變柵極電壓，就可以比標準晶體管更快的速度和更小的電壓關閉和打開場效應晶體管。場效應晶體管的開關速度使其成為高速數字電路的理想晶體管。它們在諸如數字集成電路和微處理器，它們是現代計算機CPU的首選晶體管。
- 發表于 2020-07-10 10:40
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- 分類：技術
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