什么是RRAM(RRAM)？

為了開發出比動態隨機存取存儲器（DRAM）存儲更多數據的計算機存儲器，科學家們正在開發一種稱為電阻隨機存取存儲器（RRAM）的存儲器芯片。常見的存儲器類型如DRAM和閃存使用電荷來存儲數據，但是RRAM使用電阻來存儲每一位信息。...

為了開發出比動態隨機存取存儲器（DRAM）存儲更多數據的計算機存儲器，科學家們正在開發一種稱為電阻隨機存取存儲器（RRAM）的存儲器芯片。常見的存儲器類型如DRAM和閃存使用電荷來存儲數據，但是RRAM使用電阻來存儲每一位信息。電阻是通過電壓來改變的，而且作為一種非易失性存儲類型，即使沒有能量被施加，數據也保持完整。涉及開關的每個元件都位于兩個電極之間，存儲芯片的特性是亞微觀的

持有光盤的女性需要非常小的功率增量來存儲RRAM上的數據金屬氧化物層和封蓋層，有不同的電阻存儲器類型，它們集成了某些類型的材料。這種材料對信息的存取時間、數據的保存情況以及無故障記憶的持續時間都有影響。在操作過程中使用的電能也能達到多少受層材料類型的影響。一種RRAM使用氧化鈦作為絕緣體，其一側與氧氣分子混合，氧氣分子可在電壓下向另一側移動當記憶的開關狀態被打開時，傳導就可以開始了。當氧分子回到另一邊時，記憶又回到了關閉狀態開關周期只需幾秒鐘的時間，另一種類型的電阻存儲器將氧化鈦排列成導線之間的水平微觀條帶垂直排列。電阻可以控制在每個單獨的金屬條上，并且能夠在不同程度上改變電阻的能力可以為存儲系統創造一種類似學習的能力。電子公司繼續致力于開發存儲器如何工作的概念相變存儲器是與RRAM一起發展起來的另一種存儲器，也稱為導電橋接隨機存取存儲器（CBRAM），它使用大量的熱量來改變材料的特性以改變電阻狀態，一些電子制造商正致力于將RRAM作為內存的一種可行的替代品，例如DRAM，它的體積要盡可能小，以有效地工作。

發表于 2020-07-30 06:22
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分類：電腦網絡

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