阻擋金屬是一層薄的金屬,無論是電鍍還是薄膜形式,放置在兩個物體之間,以防止軟金屬污染其他物體。例如,現代芯片和電路中的銅和黃銅元件通常在其周圍覆蓋一層薄薄的金屬鍍層,以避免腐蝕晶體半導體本身。有時,阻擋金屬由氮化...
阻擋金屬是一層薄的金屬,無論是電鍍還是薄膜形式,放置在兩個物體之間,以防止軟金屬污染其他物體。例如,現代芯片和電路中的銅和黃銅元件通常在其周圍覆蓋一層薄薄的金屬鍍層,以避免腐蝕晶體半導體本身。有時,阻擋金屬由氮化鎢等陶瓷材料制成,而非實際金屬,但它們仍然被認為是阻擋金屬

用于擴散阻擋層的金屬通常與保護半導體的金屬相同,雖然依賴金屬元件之間電流流動的器件可能使用與半導體器件相同的勢壘金屬,但勢壘金屬需要特定的物理性質才能對半導體工業。顯然,阻擋金屬需要足夠的惰性,以避免污染周圍的材料本身;然而,半導體制造是圍繞著整個裝置的電流流動而建立的。因此,阻擋金屬需要足夠的導電性,以避免阻止電流流動很少有金屬符合這兩個標準,這意味著只有少數材料在半導體中起到阻擋金屬的作用。氮化鈦是半導體中最常見的阻擋金屬。鉻、鉭、氮化鉭和氮化鎢也被使用導電性和硬度并不是阻擋金屬唯一考慮的兩個特性;屏障金屬的厚度對其有效性也起著至關重要的作用。銅等軟金屬可以穿透太薄的屏障。任何穿透薄屏障的軟金屬都可能污染另一側的脆弱物體。另一方面,太厚的金屬鍍層會顯著地影響電路中的電流。半導體工程師花大量時間在實驗室里試圖獲得平衡。并不是所有的阻擋金屬都能屏蔽晶體然而,半導體。軟金屬同樣容易腐蝕較硬的金屬表面,這種污染會導致高科技設備的產品失效。一層很薄的惰性金屬阻止了另外兩種金屬的接觸被稱為擴散阻擋層。擴散阻擋層通常存在于金屬板層之間,并起到屏蔽作用焊接金屬部件。用于擴散阻擋層的金屬并不總是用于保護半導體的金屬,雖然依賴金屬元件之間電流流動的器件可能使用與半導體器件相同的阻擋金屬。一般來說,金屬板擴散阻擋層需要與半導體阻擋層相同的惰性特性,但它們也需要能夠粘附在其兩側的不同金屬上。金,鎳和鋁是用于擴散阻擋層的三種常見金屬。