在電子電路中,像鍺的電子元件,也被稱為半導體功率的開關,也被用來制造電子功率,這些小玩意在標準操作過程中通常能消除1瓦以上的功率,在集成電路中通常被稱為功率集成電路,功率半導體是一種類似開關的器件,主要用于控制和轉...
                    
                    
                        在電子電路中,像鍺的電子元件,也被稱為半導體功率的開關,也被用來制造電子功率,這些小玩意在標準操作過程中通常能消除1瓦以上的功率,在集成電路中通常被稱為功率集成電路,功率半導體是一種類似開關的器件,主要用于控制和轉換電子電路中的電能,功率半導體器件的基本形式是在20世紀50年代發展起來的。工程師羅伯特N.霍爾被認為是發明該器件的功臣。這些早期器件由鍺制成,額定電流約為35安培,電壓容量約為200伏。與現代功率半導體相比,功率半導體器件有幾種類型,包括功率二極管、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)、晶閘管,以及一種絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。功率二極管通常由兩個終端的電子元件組成。它們通常攜帶正向電流,防止電流反向流動。與低功率半導體器件不同,它們能夠傳輸大量功率mosfet是低壓功率半導體應用中應用最廣泛的一種類型,通常小于200伏,用于電機控制器、電源和DC-DC轉換器就像功率二極管,功率MOSFET通常被配置為攜帶大量的電力。它們通常比其他類型的功率半導體在更低的電壓下效率更高,具有更高的換流速度。晶閘管是一種功率半導體,應用于從光開關調光器、壓力控制系統到電機速度的所有領域控制器和液位調節器。它們由四層組成,由交替的P型和N型材料組成,通常有三個電極。它們通常被設計成使用小的觸發電流或電壓來控制相當大的功率。絕緣柵雙極晶體管(IGBT)功率半導體有時還被認為是一種高效的半導體開關裝置,用于汽車空調系統的快速開關
                    
                    
                        
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                                發表于 2020-09-05 16:03
                            
 
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                                                        - 分類:文化藝術