什么是反應離子刻蝕(Reactive Ion Etching)？

反應離子蝕刻是一種用于微加工的技術，用于從晶圓中去除物質。晶圓是用于制造微器件的小型半導體條帶，反應離子蝕刻技術確保它們不含可能對其效能產生負面影響的材料。微加工程序的執行專門設計的裝置，可在不損害晶圓完整...

反應離子蝕刻是一種用于微加工的技術，用于從晶圓中去除物質。晶圓是用于制造微器件的小型半導體條帶，反應離子蝕刻技術確保它們不含可能對其效能產生負面影響的材料。微加工程序的執行專門設計的裝置，可在不損害晶圓完整性的情況下精確定位待移除的物質。Worker最常見的反應離子蝕刻設備由圓柱形真空室制成，真空室的底部裝有一個獨立的晶圓夾持器氣體容器的頂部，根據特定晶圓的具體要求，使用各種氣體。感應耦合等離子體是這項技術的另一種模式。通過這種裝置，等離子體是由高度專業化的磁場制造的。用這種方法獲得高濃度的等離子體并不少見。反應性離子蝕刻等離子體是一種化學反應性物質狀態，由更標準的射頻（RF）電磁場產生。等離子體中的離子高能量。這些離子與晶圓上的碎片發生反應，從而消除晶圓表面的缺陷。反應離子蝕刻的化學過程是一個多方面的過程。首先，向晶圓室發射大量電磁場，然后磁場振蕩，它使容器中的氣體分子電離并除去它們的電子。這就產生了等離子體。反應離子蝕刻是一種更廣泛的微加工去除類型，稱為干法蝕刻。它在去除過程中不使用液體，不像濕法蝕刻，它使用各種酸和化學物質來達到同樣的目的由于濕法蝕刻會對晶圓造成咬邊，以及大量的有毒廢料，因此干法蝕刻已成為一種較為流行的晶圓化學去除方法。反應離子蝕刻的主要缺點之一是成本。與濕法蝕刻技術相比，由于所需的專用設備，它的成本要高得多。然而，一般來說，干法蝕刻工藝在達到晶圓的較復雜區域時要有效得多。不過，有一點很重要，那就是有些工作不需要這種蝕刻形式所提供的細微細節，而濕法蝕刻程序可能只完成這項任務同樣有效。

發表于 2020-09-17 00:06
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分類：文化藝術

什么是反應離子刻蝕(Reactive Ion Etching)？

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