晶體管的特性是什么(Transistor Characteristics)？
晶體管是電子器件中控制和放大器件內電流的元件，被認為是現代電子技術發展中最重要的發明之一。影響晶體管工作的重要晶體管特性包括晶體管的增益、結構和極性，以及結構材料。晶體管的特性可以根據晶體管的用途而有很大...
晶體管是電子器件中控制和放大器件內電流的元件，被認為是現代電子技術發展中最重要的發明之一。影響晶體管工作的重要晶體管特性包括晶體管的增益、結構和極性，以及結構材料。晶體管的特性可以根據晶體管的用途而有很大的不同。
晶體管放大電流。
晶體管很有用，因為它們可以像一種控制更大流量的信號。晶體管的這種能力稱為晶體管增益，它是以晶體管產生的輸出與產生輸出所需的輸入之比來測量的。相對于輸入，輸出越高，增益越高。這個比率可以用電功率，電壓，或電流。增益隨著工作頻率的升高而減小。
晶體管中的每個半導體端子都可以具有正負極性，這取決于晶體管的物質'；主要的半導體材料已經摻雜了。
晶體管的特性隨晶體管的組成而變化。常見的材料包括半導體硅、鍺，砷化鎵（GaAs）：砷化鎵通常用于高頻晶體管，因為它的電子遷移率（電子通過半導體材料的速度）更高。它也可以在硅或鍺晶體管中的更高溫度下安全工作與其他晶體管材料相比，硅的電子遷移率較低，但通常使用硅是因為硅的價格低廉，并且可以在比鍺更高的溫度下工作。
晶體管最重要的特性之一是晶體管的設計。雙極結晶體管（BJT）有三個端子，稱為基極，集電極和發射極，基極位于集電極和發射極之間。少量的電流從基極移動到發射極，電壓的微小變化導致發射極和收集層之間的電流變化更大。BJT之所以被稱為雙極晶體管，是因為它們同時使用帶負電荷的電子在場效應晶體管（FET）中，只使用一種類型的電荷載流子，每個FET有三層半導體層，稱為柵、漏和源，它們類似于BJTs基、集電極和發射極，大多數場效應晶體管也有第四個終端，稱為體、體、基或基片。場效應晶體管是否利用電子或電子空穴來攜帶電荷取決于不同半導體層的組成。
晶體管中的每個半導體終端都有正負極性，根據晶體管的主要半導體材料被摻雜了什么物質，在N型摻雜中，會加入少量的砷或磷雜質，摻雜劑的每個原子在其外殼中有五個電子，每個硅原子的外殼只有四個電子，因此，每個砷或磷原子都提供了一個多余的電子，這個電子可以穿過半導體，給它一個負電荷，而在P型摻雜中，鎵或硼的外殼都有三個電子這使得硅原子外殼中的第四個電子沒有任何可結合的東西，產生了相應的正電荷載流子，稱為電子可以移動的電子空穴。
晶體管也根據其組件的極性進行分類。在NPN晶體管中，中端是BJTs中的基部，場效應晶體管中的柵極是正極性的，而柵極兩側的兩層都是負極性的。在PNP晶體管中，情況正好相反。
晶體管放大電流。晶體管很有用，因為它們可以像一種控制更大流量的信號。晶體管的這種能力稱為晶體管增益，它是以晶體管產生的輸出與產生輸出所需的輸入之比來測量的。相對于輸入，輸出越高，增益越高。這個比率可以用電功率，電壓，或電流。增益隨著工作頻率的升高而減小。
晶體管中的每個半導體端子都可以具有正負極性，這取決于晶體管的物質'；主要的半導體材料已經摻雜了。晶體管的特性隨晶體管的組成而變化。常見的材料包括半導體硅、鍺，砷化鎵（GaAs）：砷化鎵通常用于高頻晶體管，因為它的電子遷移率（電子通過半導體材料的速度）更高。它也可以在硅或鍺晶體管中的更高溫度下安全工作與其他晶體管材料相比，硅的電子遷移率較低，但通常使用硅是因為硅的價格低廉，并且可以在比鍺更高的溫度下工作。
晶體管最重要的特性之一是晶體管的設計。雙極結晶體管（BJT）有三個端子，稱為基極，集電極和發射極，基極位于集電極和發射極之間。少量的電流從基極移動到發射極，電壓的微小變化導致發射極和收集層之間的電流變化更大。BJT之所以被稱為雙極晶體管，是因為它們同時使用帶負電荷的電子在場效應晶體管（FET）中，只使用一種類型的電荷載流子，每個FET有三層半導體層，稱為柵、漏和源，它們類似于BJTs基、集電極和發射極，大多數場效應晶體管也有第四個終端，稱為體、體、基或基片。場效應晶體管是否利用電子或電子空穴來攜帶電荷取決于不同半導體層的組成。
晶體管中的每個半導體終端都有正負極性，根據晶體管的主要半導體材料被摻雜了什么物質，在N型摻雜中，會加入少量的砷或磷雜質，摻雜劑的每個原子在其外殼中有五個電子，每個硅原子的外殼只有四個電子，因此，每個砷或磷原子都提供了一個多余的電子，這個電子可以穿過半導體，給它一個負電荷，而在P型摻雜中，鎵或硼的外殼都有三個電子這使得硅原子外殼中的第四個電子沒有任何可結合的東西，產生了相應的正電荷載流子，稱為電子可以移動的電子空穴。
晶體管也根據其組件的極性進行分類。在NPN晶體管中，中端是BJTs中的基部，場效應晶體管中的柵極是正極性的，而柵極兩側的兩層都是負極性的。在PNP晶體管中，情況正好相反。
- 發表于 2020-07-10 09:44
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- 分類：技術
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