什么是平面晶體管(Planar Transistor)？
平面晶體管是由Jean Hoerni于1959年發明的。平面晶體管的設計在早期設計的基礎上有所改進，使其制造成本更低，可大量生產，更擅長放大電輸入。平面晶體管是分層的，可以在同一平面上有所有的連接。 手持計算機 平面晶體管的...
平面晶體管是由Jean Hoerni于1959年發明的。平面晶體管的設計在早期設計的基礎上有所改進，使其制造成本更低，可大量生產，更擅長放大電輸入。平面晶體管是分層的，可以在同一平面上有所有的連接。
手持計算機
平面晶體管的第一層是半導體的基礎材料。許多雜質被添加到這個基底上，使其成為更好的導體。第二層半導體，雜質較少，然后放在基底的頂部。第二層就位后，它的中心被蝕刻出來，在側面留下第二層材料的厚邊，在基底上留下一層薄邊，呈方形碗狀。
然后將一段極性與最初兩層相反的材料放入碗中。再次，這一層的中心被蝕刻成一個較小的碗，然后加入一種類似于平面晶體管第一層的材料，第二層，第三層和第四層都與晶體管的頂部齊平。
平面半導體的正、負組件可在器件的同一平面上訪問。組件就位后，可將金屬連接器連接到晶體管上，允許器件接收和發射電能。晶體管從第一層接收輸入，從第四層發射輸出。第三層用于向晶體管充電，以便放大輸入。
盡管器件的設計比以前的晶體管復雜一些，但許多平面晶體管可以同時制作這減少了生產晶體管所需的時間和金錢，并為更經濟的電子產品鋪平了道路。這些類型的晶體管還可以將輸入提高到比早期型號的晶體管更高的水平。
在早期的晶體管中，為了防止污染，半導體表面自然形成的氧化層被從晶體管上移除。這意味著晶體管正負極之間的精細連接必須暴露出來。按照霍爾尼的設計要求，將晶體管分層建造，結合氧化層作為連接的保護特性。
手持計算機平面晶體管的第一層是半導體的基礎材料。許多雜質被添加到這個基底上，使其成為更好的導體。第二層半導體，雜質較少，然后放在基底的頂部。第二層就位后，它的中心被蝕刻出來，在側面留下第二層材料的厚邊，在基底上留下一層薄邊，呈方形碗狀。
然后將一段極性與最初兩層相反的材料放入碗中。再次，這一層的中心被蝕刻成一個較小的碗，然后加入一種類似于平面晶體管第一層的材料，第二層，第三層和第四層都與晶體管的頂部齊平。
平面半導體的正、負組件可在器件的同一平面上訪問。組件就位后，可將金屬連接器連接到晶體管上，允許器件接收和發射電能。晶體管從第一層接收輸入，從第四層發射輸出。第三層用于向晶體管充電，以便放大輸入。
盡管器件的設計比以前的晶體管復雜一些，但許多平面晶體管可以同時制作這減少了生產晶體管所需的時間和金錢，并為更經濟的電子產品鋪平了道路。這些類型的晶體管還可以將輸入提高到比早期型號的晶體管更高的水平。
在早期的晶體管中，為了防止污染，半導體表面自然形成的氧化層被從晶體管上移除。這意味著晶體管正負極之間的精細連接必須暴露出來。按照霍爾尼的設計要求，將晶體管分層建造，結合氧化層作為連接的保護特性。
- 發表于 2020-07-10 10:39
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- 分類：技術
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