大信號模型是在分析電路時使用的一種表示法,它使用的電壓和電流被認為高于低信號類別。產生低信號和大信號模型的主要原因是行為電路,特別是半導體,依賴于所涉及信號的相對振幅大信號模型還揭示了當信號電平接近器件的最...
大信號模型是在分析電路時使用的一種表示法,它使用的電壓和電流被認為高于低信號類別。產生低信號和大信號模型的主要原因是行為電路,特別是半導體,依賴于所涉及信號的相對振幅大信號模型還揭示了當信號電平接近器件的最大允許電平時電路的特性。晶體管模型利用大信號模型來預測在最大信號電平被饋入和最大輸出被繪制時的性能和特性基于大信號非線性模型設計了最高信號電平下的失真和噪聲輸出。

二極管中的正向電壓降是陰極通過二極管時的電壓在二極管建模中,小信號模型考慮了硅二極管上0.7伏正向壓降和鍺二極管0.3伏正向壓降,在大信號模型中,接近典型二極管的最大允許正向電流將增大實際正向電壓下降很大。
在反向偏壓下,二極管有一個正陰極和一個負陽極。反向偏壓二極管的小信號和大信號模型中幾乎沒有傳導。在反向偏壓模式下,無論是在小信號模型還是大信號模型中,二極管的處理方式幾乎相同反向偏置二極管的大信號模型不同之處在于反向擊穿電壓,如果允許二極管吸收功率,二極管將永久性失效,從而對二極管的正負(P-N)結造成不可逆損壞,正(P)型半導體和負(N)型半導體之間的一種結。對于大信號建模,有源器件的幾乎所有特性都會改變。當耗散更多功率時,溫度升高通常會導致大多數晶體管的增益和漏電流增加。如果設計得當,有源器件能夠自動控制任何一種叫做失控的狀態。例如,在熱失控中,維持有源器件靜態工作特性的偏置電流可能會發展到有源器件吸收越來越多功率的極端情況。有源器件端子中適當的附加電阻(補償變化)可以避免這種情況,很像一個負反饋機制。