自旋電子學是一種新興的電子學,它利用電子的磁狀態( 自旋 )來編碼和處理數據,而不是使用電荷,自旋電子學與磁學密切相關,但并非完全相同。因此,自旋電子學有時被認為是利用量子效應。根據其磁取向,電子可以具有一個 向上 或...
自旋電子學是一種新興的電子學,它利用電子的磁狀態(
自旋)來編碼和處理數據,而不是使用電荷,自旋電子學與磁學密切相關,但并非完全相同。因此,自旋電子學有時被認為是利用量子效應。根據其磁取向,電子可以具有一個
向上或
向下自旋。鐵電材料的磁性,當暴露在電場中時,非導體會變得極化,因為這些物體中的許多電子都具有相同的自旋。

持有圓盤的女性也被稱為磁電子學,自旋電子學有可能成為計算的理想存儲介質,有人認為自旋電子學存儲器(MRAM)有可能達到SRAM(靜態RAM)、DRAM(動態RAM)的密度,閃速存儲器的非揮發性。
非揮發性意味著斷電后數據仍然被編碼。自旋電子學也被稱為量子計算方向上的一步。
由于其不易揮發,MRAM或其他自旋電子學有一天會被用來制造即時電腦和極為方便的存儲器、存儲設備和電池。這項技術還可以用來制造更小、更快、耗電更少的電子設備。預計到2010年,MRAM設備將投入商業使用,在十幾歲的時候,其他自旋電子學設備也接踵而至。
自旋電子學領域第一個被廣泛認可的突破是巨磁電阻(GMR)的開發,這項技術目前已應用于大多數硬盤的讀頭中GMR和其他自旋電子學可以用夾在兩塊磁片之間的非磁性材料來探測極微小的磁場。這種材料根據磁片的磁取向迅速改變其電阻率。GMR比普通磁阻強100倍。有時GMR器件被稱為自旋閥
合成基于MRAM的器件非常方便,因為所涉及的制造技術與傳統的硅半導體制造技術有很多共同之處。關于電子/磁性集成器件的建議是常見的,IBM宣布,他們已經在一個原型存儲設備中實現了每平方英寸1萬億比特的存儲容量。