全緩沖DIMM(雙列直插式內存模塊)是一種隨機存取內存(RAM)芯片,它在芯片組上包含高級內存緩沖區。高級內存緩沖區充當實際內存模塊和內存控制器之間的中間人。這使得芯片上的可用內存在不增加數量的情況下得以增加DIMM的缺...
全緩沖DIMM(雙列直插式內存模塊)是一種隨機存取內存(RAM)芯片,它在芯片組上包含高級內存緩沖區。高級內存緩沖區充當實際內存模塊和內存控制器之間的中間人。這使得芯片上的可用內存在不增加數量的情況下得以增加DIMM的缺點包括延遲的引入和芯片組功耗的增加在完全緩沖的DIMM上,高級內存緩沖區位于內存模塊和內存控制器之間。所有進出內存模塊的數據必須首先通過高級內存緩沖單元。與無緩沖DIMM不同,當內存控制器直接與內存模塊接口時,高級內存緩沖區必須“解釋”完全緩沖的DIMM上的信息兩個主要的優點。第一個是信號可以由內存緩沖單元恢復,補償它在計算機總線結構中傳輸時的惡化;第二個是高級內存緩沖區可以對流入和流出RAM芯片的數據執行搶占式錯誤檢查。它的作用類似于微型計算機一種大腦,它可以判斷通過的數據是否在處理過程中的任何時候被破壞不過,使用完全緩沖的DIMM也有缺點。首先,高級內存緩沖區需要RAM芯片額外的功耗。這意味著RAM插槽必須設置在更高的電壓水平上。功率增加會產生額外的熱量,在通風不良的情況下,這可能會縮短RAM芯片和系統內其他組件的壽命。為了將此風險降至最低,應使用額外的冷卻;這可以包括外殼的額外排氣風扇或其他類型的冷卻解決方案,以改善RAM芯片的氣流DIMM的最后一個缺點是,依賴高級內存緩沖區,給RAM操作引入了延遲的概念。沒有緩沖區,RAM操作基本上是實時進行的,僅受處理器速度的限制,處理器之間的前端總線然而,一旦數據通過高級內存緩沖區,在接收和處理信息之間會出現延遲。唯一可能的補償是使用更快的內存模塊,以克服固有的延遲延遲
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發表于 2020-07-30 17:08
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