什么是MOSFET晶體管(MOSFET Transistor)？
MOS FET晶體管是一種在電子器件中開關或放大信號的半導體器件。MOSFET是金屬氧化物半導體場效應晶體管的縮寫。這個名稱可以用MOSFET、MOSFET或MOS-FET來表示；MOSFET晶體管這個術語盡管有冗余，但還是很常用。MOSFET的用...
MOS FET晶體管是一種在電子器件中開關或放大信號的半導體器件。MOSFET是金屬氧化物半導體場效應晶體管的縮寫。這個名稱可以用MOSFET、MOSFET或MOS-FET來表示；MOSFET晶體管這個術語盡管有冗余，但還是很常用。MOSFET的用途晶體管通過使用少量的電來影響更大數量的電流，從而影響通過器件的電荷流。MOSFET是現代電子學中最常用的晶體管。
MOSFET晶體管有各種各樣的形狀、尺寸和排列方式。
MOSFET晶體管在現代生活中無處不在，因為它是集成電路中最常用的晶體管類型，幾乎是所有現代計算機和電子設備的基礎。MOSFET晶體管因其自身的特性而非常適合于這種作用低功耗、低損耗、低廢熱、低批量生產成本。現代集成電路可容納數十億個MOSFET。MOSFET晶體管存在于從手機、數字手表到大型超級計算機等各種設備中，用于氣候等領域的復雜科學計算，天文學和粒子物理學。
MOSFET有四個半導體終端，稱為源極、柵極、漏極和體極。源極和漏極位于晶體管體內，而柵極位于這三個終端之上，位于源極和漏極之間。柵極通過一層薄薄的絕緣層與其他終端分離。
MOSFET可以設計為使用帶負電荷的電子或帶正電荷的電子空穴作為電荷載體源極、柵極和漏極端子設計成有多余的電子或電子空穴，使每一個都具有正負極性。源極和漏極總是相同的極性，柵極總是源極和漏極的相反極性。
當體和柵極之間的電壓增加，柵極接收到電荷時，相同電荷的電荷載流子被排斥在柵極的區域之外，形成所謂的耗盡區。如果這個區域足夠大，它將在絕緣層和半導體層的界面上形成一個所謂的反轉層，提供一個通道，使得柵極相反的電荷載流子可以很容易地流動。這使得大量的電能從源極流向漏極。就像所有的場效應晶體管一樣，每個單獨的MOSFET晶體管都只使用正電荷或負電荷載流子。
MOSFET晶體管主要由硅或硅鍺合金制成。半導體端子的性能可以通過添加少量雜質如硼、磷或砷來改變，一種稱為摻雜的工藝。柵極通常由多晶硅制成，盡管一些mosfet的柵極由多晶硅與鈦、鎢或鎳等金屬合金制成。極小型晶體管使用鎢、鉭或氮化鈦等金屬制成的柵極。絕緣層通常由硅制成二氧化物（SO2），盡管也使用其他氧化物化合物。
MOSFET晶體管有各種各樣的形狀、尺寸和排列方式。MOSFET晶體管在現代生活中無處不在，因為它是集成電路中最常用的晶體管類型，幾乎是所有現代計算機和電子設備的基礎。MOSFET晶體管因其自身的特性而非常適合于這種作用低功耗、低損耗、低廢熱、低批量生產成本。現代集成電路可容納數十億個MOSFET。MOSFET晶體管存在于從手機、數字手表到大型超級計算機等各種設備中，用于氣候等領域的復雜科學計算，天文學和粒子物理學。
MOSFET有四個半導體終端，稱為源極、柵極、漏極和體極。源極和漏極位于晶體管體內，而柵極位于這三個終端之上，位于源極和漏極之間。柵極通過一層薄薄的絕緣層與其他終端分離。
MOSFET可以設計為使用帶負電荷的電子或帶正電荷的電子空穴作為電荷載體源極、柵極和漏極端子設計成有多余的電子或電子空穴，使每一個都具有正負極性。源極和漏極總是相同的極性，柵極總是源極和漏極的相反極性。
當體和柵極之間的電壓增加，柵極接收到電荷時，相同電荷的電荷載流子被排斥在柵極的區域之外，形成所謂的耗盡區。如果這個區域足夠大，它將在絕緣層和半導體層的界面上形成一個所謂的反轉層，提供一個通道，使得柵極相反的電荷載流子可以很容易地流動。這使得大量的電能從源極流向漏極。就像所有的場效應晶體管一樣，每個單獨的MOSFET晶體管都只使用正電荷或負電荷載流子。
MOSFET晶體管主要由硅或硅鍺合金制成。半導體端子的性能可以通過添加少量雜質如硼、磷或砷來改變，一種稱為摻雜的工藝。柵極通常由多晶硅制成，盡管一些mosfet的柵極由多晶硅與鈦、鎢或鎳等金屬合金制成。極小型晶體管使用鎢、鉭或氮化鈦等金屬制成的柵極。絕緣層通常由硅制成二氧化物（SO2），盡管也使用其他氧化物化合物。
- 發表于 2020-07-10 12:30
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