什么是MOS晶體管(MOS Transistor)？

金屬氧化物半導體（MOS）晶體管是大多數現代數字存儲器的組成部分，處理器和邏輯芯片。它也是許多模擬和混合信號集成電路中的常見元件。這些晶體管存在于從手機、計算機到數字控制冰箱和電子醫療設備等各種電子設備中。MOS...

金屬氧化物半導體（MOS）晶體管是大多數現代數字存儲器的組成部分，處理器和邏輯芯片。它也是許多模擬和混合信號集成電路中的常見元件。這些晶體管存在于從手機、計算機到數字控制冰箱和電子醫療設備等各種電子設備中。MOS晶體管用途廣泛，可以作為開關使用，一種放大器或電阻器。又稱為一種特殊類型的場效應晶體管（FET），稱為絕緣柵（IGFET）或MOS（MOSFET）

大多數現代電子設備都使用某種類型的晶體管。MOS晶體管是在半導體晶體襯底上制造的，通常由硅制成。基板頂部有一層薄的絕緣層，通常由二氧化硅制成。在這層上面是柵極，通常由金屬或多晶硅制成。柵極一側的晶體區稱為源區，另一側稱為漏區。源區和漏區通常'摻雜'有相同類型的硅；柵極下面的溝道'摻雜'了相反的類型。這形成了一種類似于標準NPN或PNP晶體管的結構。MOS晶體管通常被制造成PMOS或PNP晶體管NMOS晶體管PMOS晶體管有一個由p型硅制成的源極和漏極；柵極下面的溝道是n型。當柵極上施加負電壓時，晶體管打開。這允許電流在源極和漏極之間流動。當柵極上施加正電壓時，它關閉NMOS晶體管則相反：一個p型溝道，具有n型源極和漏極，當在NMOS晶體管的柵極處施加負電壓時，它會關閉；正電壓使其開啟。NMOS比PMOS的一個優點是開關速度-NMOS通常更快。許多集成電路使用互補MOS（CMOS）邏輯門。CMOS門由兩種類型的晶體管組成一起：一個NMOS和一個PMOS。這些門極通常在功耗很關鍵的地方使用。它們通常在晶體管從一種狀態切換到另一種狀態之前不使用電源。耗盡模式MOSFET是一種特殊類型的MOS一種可用作電阻的晶體管。它的柵極區由二氧化硅絕緣體和襯底之間的一層額外的層構成。該層與漏極區和源極區用同一類型的硅'摻雜'。當柵極處沒有電荷時，該層傳導電流。電阻由晶體管產生時的晶體管。柵極電荷的存在使這種類型的MOS晶體管關閉。像大多數其它晶體管一樣，MOS晶體管可以放大信號電流在源極和漏極之間的流動量隨柵極信號的變化而變化。一些MOS晶體管被構造并單獨封裝以處理大電流。這些晶體管可用于開關電源、大功率放大器，線圈驅動器和其他模擬或混合信號應用。大多數MOS晶體管用于低功耗、低電流數字電路。這些晶體管通常與其他部件一起包含在芯片中，而不是單獨存在

發表于 2020-07-11 01:26
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分類：技術

什么是MOS晶體管(MOS Transistor)？

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