什么是磁電阻(Magnetoresistance)？

磁電阻的特性是通過引入外部磁場來改變通過物體的電流路徑的能力。各向異性磁電阻（AMR）的水平，或由于磁鐵的存在而使粒子向另一方向彎曲的速率，隨被測材料的相對電導率而變化。這種應用允許電流通過物體的較大表面積，從而...

磁電阻的特性是通過引入外部磁場來改變通過物體的電流路徑的能力。各向異性磁電阻（AMR）的水平，或由于磁鐵的存在而使粒子向另一方向彎曲的速率，隨被測材料的相對電導率而變化。這種應用允許電流通過物體的較大表面積，從而在分子水平上增加其整體電阻。通過使用不同的元素作為變量，可以應用一個公式來計算真正的磁電阻效應，這使得許多行業能夠確定哪種類型的材料最適合他們的產品。

計算機硬盤通常使用磁電阻技術。自從1856年愛爾蘭發明家凱爾文勛爵（Lord Kelvin）發現計算機硬盤以來，這一領域已經取得了許多突破性進展，這一原理現在常被稱為普通磁電阻（OMR）。巨磁電阻（CMR）是下一個要采用的分類，它被用來描述像鈣鈦礦氧化物這樣的金屬能夠將電阻改變到比以前想象的更高的水平在1988年，阿爾伯特·費特和彼得·格倫伯格都獨立地發現了巨磁電阻（GMR）的實現方法，它由鐵磁性和非磁性元素的紙薄金屬層堆疊而成，以增加或減少內部的整體電阻隧穿磁電阻（TMR）使電子垂直旋轉，能夠跨越非磁性絕緣體，使這個概念更進一步絕緣體通常由結晶氧化鎂組成，直到最近，它被認為違反了經典物理的自然規律。這種量子力學現象使得一些行業能夠實現原本不可能實現的TMR技術。也許最常見的磁電阻例子是在計算機系統中實現硬盤驅動器。這項技術使設備得以實現由于集成的微型加熱線圈允許在硬盤運行時進行更高的控制，因此可以大容量地讀取和寫入數據。這將導致更大的總存儲容量，同時減少數據丟失的頻率。它還用于為第一代非卷式存儲器賦能，即使沒有電源也能保存數據。

發表于 2020-09-05 14:10
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分類：文化藝術

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