什么是化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition)？
化學氣相沉積（CVD）是一種利用反應氣體室合成高純度、高性能固體材料的化學過程，例如電子元件。集成電路的某些元件需要由多晶硅、二氧化硅和氮化硅材料制成的電子元件。例如氣相沉積過程是由硅烷（SiH4）合成多晶硅，使用該反...
化學氣相沉積（CVD）是一種利用反應氣體室合成高純度、高性能固體材料的化學過程，例如電子元件。集成電路的某些元件需要由多晶硅、二氧化硅和氮化硅材料制成的電子元件。例如氣相沉積過程是由硅烷（SiH4）合成多晶硅，使用該反應：
集成電路的某些組件需要由多晶硅、二氧化硅和氮化硅材料制成的電子元件。SiH4->；Si2H2在硅烷反應中，介質可以是純硅烷氣體，也可以是含氮70-80%的硅烷。使用溫度在600到650°C（1100-1200°F），壓力在25到150 Pa之間（不到大氣的千分之一），純硅可以以每分鐘10到20納米的速度沉積，非常適合于許多電路板組件厚度以微米為單位測量。一般來說，化學氣相溫度沉積機內的溫度很高，而壓力很低。最低壓力低于10?6帕斯卡，稱為超高真空。這與其他領域中"超高真空"的使用不同，后者通常指壓力化學氣相沉積的一些產品包括硅、碳纖維、碳納米纖維、長絲、碳納米管、二氧化硅、硅鍺、鎢、碳化硅、氮化硅、氧化硅、氮化鈦和金剛石。使用化學氣相沉積的大量生產材料可以由于工藝的功率要求，成本非常昂貴，這部分是半導體工廠極高成本（數億美元）的部分原因化學氣相沉積反應通常會產生副產物，這些副產物必須通過連續的氣流來除去。化學氣相沉積過程有幾種主要的分類方案，包括按壓力分類（大氣、低壓或超高真空），氣相特性（氣溶膠或直接液體噴射），或等離子體處理型（微波等離子體輔助沉積、等離子體增強沉積、遠程等離子體增強沉積）。
集成電路的某些組件需要由多晶硅、二氧化硅和氮化硅材料制成的電子元件。SiH4->；Si2H2在硅烷反應中，介質可以是純硅烷氣體，也可以是含氮70-80%的硅烷。使用溫度在600到650°C（1100-1200°F），壓力在25到150 Pa之間（不到大氣的千分之一），純硅可以以每分鐘10到20納米的速度沉積，非常適合于許多電路板組件厚度以微米為單位測量。一般來說，化學氣相溫度沉積機內的溫度很高，而壓力很低。最低壓力低于10?6帕斯卡，稱為超高真空。這與其他領域中"超高真空"的使用不同，后者通常指壓力化學氣相沉積的一些產品包括硅、碳纖維、碳納米纖維、長絲、碳納米管、二氧化硅、硅鍺、鎢、碳化硅、氮化硅、氧化硅、氮化鈦和金剛石。使用化學氣相沉積的大量生產材料可以由于工藝的功率要求，成本非常昂貴，這部分是半導體工廠極高成本（數億美元）的部分原因化學氣相沉積反應通常會產生副產物，這些副產物必須通過連續的氣流來除去。化學氣相沉積過程有幾種主要的分類方案，包括按壓力分類（大氣、低壓或超高真空），氣相特性（氣溶膠或直接液體噴射），或等離子體處理型（微波等離子體輔助沉積、等離子體增強沉積、遠程等離子體增強沉積）。
- 發表于 2020-09-07 05:56
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- 分類：科學教育
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