場效應晶體管(FET)是集成電路中常用的一種電子元件,它是一種獨特的晶體管,它根據輸入的內容提供可變的輸出電壓。這與雙極結晶體管(BJT)不同,后者的設計是根據電流流來決定開關狀態金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)是目前...
場效應晶體管(FET)是集成電路中常用的一種電子元件,它是一種獨特的晶體管,它根據輸入的內容提供可變的輸出電壓。這與雙極結晶體管(BJT)不同,后者的設計是根據電流流來決定開關狀態金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)是目前使用的最常見的場效應晶體管(FET),它比BJT具有更高的速度和更低的能耗,因此經常被納入計算機內存設計中,金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)經常被納入計算機存儲器設計中,與BJT相比,它具有更高的速度和更低的能耗。晶體管具有許多不同的特性和功能。有機場效應晶體管(OFET)構建在有機層襯底上,通常是聚合物的一種形式。這些晶體管具有柔性和可生物降解的特性,用于制造塑料視頻顯示器和太陽能電池板。另一種FET變體是結場效應晶體管(JFET),它在電路中起二極管的作用,碳納米管場效應晶體管(CNTFET)是一種實驗性場效應晶體管,它建立在單個碳納米管上,而不是典型的硅襯底上。這使得它們比可以制造的最小晶體管小20倍傳統的薄膜技術。它們的前景是以更低的成本提供更快的計算機處理速度和更大的內存自1998年以來,它們已經被成功地證明了,但諸如納米管在氧氣存在下的降解以及在溫度或電場應力下的長期可靠性等問題,使它們一直處于實驗階段,例如絕緣柵雙極晶體管(IGBT),它可以處理高達3000伏的電壓,并起到快速開關的作用。它們在許多現代電器、電動汽車和火車系統以及音頻放大器中有著廣泛的應用。耗盡模式場效應晶體管是場效應晶體管設計變化的另一個例子,并且經常被用作光子傳感器和電路放大器。計算機和電子設備的許多復雜需求繼續促使晶體管的功能設計和制造材料的多樣化。場效應晶體管是幾乎所有電路中的基本元件場效應晶體管的原理在1925年首次獲得專利,然而如何利用這一理念的新概念正在不斷地被創造出來
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發表于 2020-09-07 01:20
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- 分類:科學教育