半導體和計算機電路通常是用晶體材料制造的。一種叫做外延的方法可以用來在同樣由晶體構成的襯底上沉積一層晶體材料。這種沉積過程被稱為外延生長,因為晶體通常是在襯底上形成的。硅通常用于半導體,在一種叫做同外延的...
半導體和計算機電路通常是用晶體材料制造的。一種叫做外延的方法可以用來在同樣由晶體構成的襯底上沉積一層晶體材料。這種沉積過程被稱為外延生長,因為晶體通常是在襯底上形成的。硅通常用于半導體,在一種叫做同外延的過程中,這意味著沉積材料和目標材料是相同的。外延層通常是通過一種稱為化學氣相沉積的制造工藝產生的。

外延可用于在同樣由晶體構成的襯底上沉積一層晶體材料。硅通常是電性的導電的,通常是計算機芯片所選用的材料。制造商經常在一個叫做摻雜的過程中對其進行修改以改變電性能。可以在純硅中添加額外的材料來實現這一點。外延層可以輕摻雜,并將其放置在摻雜量更大的襯底上。成品器件通常能夠在與較慢芯片相同的電流下以更快的速度運行。外延硅也可用于管理摻雜過程和調整材料濃度。在另一層上生長一層通常會產生兩層的器件電氣上不同的成分。在某些情況下,一層可以是無氧的,也可以設計成完全過濾碳分子。通常,使用外延反應器來沉積這些層。氣體通常注入反應器室,這些氣體通常與碳化硅反應,然后形成外延層,而生長速度可以用載氣來控制在石英反應室中還可以放置一個陰極,以物理方式支撐硅片,并在處理系統中均勻地分配熱量。通常包含晶體層的設備包括太陽能電池,以及交流(AC)到直流(DC)轉換器。該過程通常用于電子產品,但是它還被整合到生物、科學、工程和化學應用中。另一種可以使用這種概念的材料是外延石墨烯。一層碳原子通常排列成二維蜂窩狀,類似于石墨,在21世紀初,外延石墨烯是在碳納米管的基礎上發展起來的。研究人員通常認為它是微電子器件和小型電路中硅樹脂的未來替代品。這種物質的生長過程通常是類似于硅元件的制造。